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The influence of stress on the growth of titanium silicide thin films on (001) silicon substrates
S. L. Cheng
, S. M. Chang
, H. Y. Huang
, Y. C. Peng
, L. J. Chen
, B. Y. Tsui
, C. J. Tsai
, S. S. Guo
化學工程與材料工程學系
研究成果
:
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會議論文
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「The influence of stress on the growth of titanium silicide thin films on (001) silicon substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Silicon
100%
Thin Films
100%
Titanium
100%
Silicide
100%
Nucleation
75%
Density
50%
Film
50%
Ultimate Tensile Strength
50%
Crystallite
50%
Grain Size
25%
Grain Boundary
25%
Earth and Planetary Sciences
Thin Films
100%
Interlayer
100%
Nucleation
100%
Silicide
100%
Crystallite
66%
Autocorrelation
33%
Grain Size
33%
Keyphrases
Silicon Substrate
100%
TiSi2
100%
Titanium Silicide
100%
Crystallites
22%
Tensile Stress
22%
Nucleation Site
22%
High Density
11%
Grain Boundary
11%
Phase Transformation
11%
CoSi2
11%
Stress-induced
11%
Grain Size
11%
Autocorrelation Function Analysis
11%
Nucleation Density
11%
Ti Film
11%
Amorphous Interlayer
11%
Film Substrate
11%
Engineering
Thin Films
100%
Silicon Substrate
100%
Interlayer
75%
Tensile Stress σ
50%
Nucleation Site
50%
Crystallite
50%
Function Analysis
25%
Autocorrelation Function
25%
Chemical Engineering
Silicide
100%
Film
100%