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The growth of pinhole-free epitaxial DySi
2-x
films on atomically clean Si(111)
G. H. Shen, J. C. Chen, C. H. Lou,
S. L. Cheng
, L. J. Chen
化學工程與材料工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
23
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「The growth of pinhole-free epitaxial DySi
2-x
films on atomically clean Si(111)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering
Energy Engineering
100%
Room Temperature
100%
Thin Layer
100%
Annealing Time
100%
Polycrystalline
100%
Interlayer
100%
Initial Stage
100%
Experimental Finding
100%
Growth Behavior
100%
Keyphrases
Epitaxial
100%
Si(111)
100%
Pinhole-free
100%
Amorphous Si
40%
Pinhole
40%
Annealing
20%
Room Temperature
20%
High Density
20%
Ultra-high Vacuum
20%
Annealing Time
20%
Stranski-Krastanov Growth
20%
Amorphous Interlayer
20%
Interface Energy
20%
Silicidation
20%
Growth Behavior
20%
Si Layer
20%
Solid Phase Epitaxy
20%
Physics
Room Temperature
100%
Polycrystalline
100%
Epitaxy
100%
Ultrahigh Vacuum
100%
Material Science
Film
100%
Density
50%
Solid Phase Epitaxy
50%