跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立中央大學 首頁
說明與常見問題
English
中文
首頁
人才檔案
研究單位
研究計畫
研究成果
資料集
榮譽/獲獎
學術活動
新聞/媒體
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
The Fermi level of annealed low-temperature GaAs on Si-δ-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
W. C. Lee, T. M. Hsu,
S. C. Wang
, M. N. Chang,
J. I. Chyi
生醫科學與工程學系
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
雜誌貢獻
›
期刊論文
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「The Fermi level of annealed low-temperature GaAs on Si-δ-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Annealing
100%
Gallium Arsenide
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Fermi Level
100%
Low-temperature-grown GaAs
100%
Si-doped
100%
GaAs on Si
100%
Conduction Band
20%
Transmission Electron Microscopy
20%
Carrier Concentration
20%
Annealing Temperature
20%
Cross-sectional Imaging
20%
Photoreflectance
20%
Fermi Level pinning
20%
Sample Structure
20%
Schottky Barrier Model
20%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Low-Temperature
100%
Doped Gaas
100%
Fermi Level
100%
Schottky Barrier
16%
Annealing Temperature
16%
Photoreflectance
16%
Sample Structure
16%
Carrier Concentration
16%
Conduction Band
16%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Annealing
12%
Schottky Barrier
12%
Transmission Electron Microscopy
12%
Carrier Concentration
12%