The experimental demonstration of the BTI-induced breakdown path in 28nm high-k metal gate technology CMOS devices
- E. R. Hsieh
- , P. Y. Lu
- , Steve S. Chung
- , K. Y. Chang
- , C. H. Liu
- , J. C. Ke
- , C. W. Yang
- , C. T. Tsai
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
20
引文
斯高帕斯（Scopus）