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Temperature dependence and current transport mechanisms in Al
x
Ga
1-x
N Schottky rectifiers
A. P. Zhang
, X. A. Cao
, G. Dang
, F. Ren
, J. Han
,
J. I. Chyi
, C. M. Lee
, C. C. Chuo
, T. E. Nee
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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指紋
指紋
深入研究「Temperature dependence and current transport mechanisms in Al
x
Ga
1-x
N Schottky rectifiers」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Temperature Effect
100%
Schottky Rectifier
100%
Aluminum Gallium Nitride (AlGaN)
100%
AlxGa1-xN
100%
Current Transport Mechanism
100%
Edge Termination
100%
Activation Energy
33%
Current Density
33%
Turn-on Voltage
33%
Reverse Breakdown Voltage
33%
Rectifier
33%
Negative Temperature Coefficient
33%
On-state Resistance
33%
Reverse Current
33%
Breakdown Voltage VB
33%
Guard Ring
33%
Reverse Leakage
33%
Engineering
Temperature Dependence
100%
Activation Energy
100%
Temperature Coefficient
100%
Breakdown Voltage
100%
Transport Mechanism
100%
Material Science
Density
100%
Activation Energy
100%
Earth and Planetary Sciences
Current Density
100%