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Surface band-bending effects on the optical properties of indium gallium nitride multiple quantum wells
L. H. Peng, C. W. Shih, C. M. Lai, C. C. Chuo,
J. I. Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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同行評審
13
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「Surface band-bending effects on the optical properties of indium gallium nitride multiple quantum wells」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Indium Gallium Nitride (InGaN)
100%
Optical Properties
100%
Surface Band Bending
100%
Multiple Quantum Wells
100%
Bending Effect
100%
Banded Structure
25%
Recombination
25%
Rate Equations
25%
Field Effect
25%
Structure Analysis
25%
Poisson Equation
25%
GaN Cap Layer
25%
Fermi Level pinning
25%
Internal Field
25%
Engineering
Quantum Well
100%
Nitride
100%
Band Bending
100%
Bending Effect
100%
Band Structure
50%
Cap Layer
50%
Internal Field
50%
Fermi Level
50%
Physics
Indium
100%
Multiple Quantum Well
100%
Nitride
100%
Optical Property
100%
Field Effect
50%
Poisson Equation
50%
Material Science
Indium
100%
Optical Property
100%
Quantum Well
100%
Gallium Nitride
100%
Surface (Surface Science)
50%
Chemical Engineering
Indium
100%
Gallium Nitride
100%