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Separated-transport-recombination p-i-n photodiode for high-speed and high-power performance
Jin Wei Shi
, H. C. Hsu
, F. H. Huang
, W. S. Liu
,
J. I. Chyi
, Ja Yu Lu
, C. K. Sun
, Ci Ling Pan
電機工程學系
前瞻科技研究中心
光電科學研究中心
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
24
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Separated-transport-recombination p-i-n photodiode for high-speed and high-power performance」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Power Performance
100%
PIN Photodiode
100%
Photodiode
100%
Recombination
100%
Speed-power
100%
Photoabsorption
100%
High-power Performance
100%
Carrier Lifetime
50%
Bias Voltage
50%
Responsivity
50%
Epitaxial Layers
50%
Bandwidth Limitation
50%
Capacitance Model
50%
Short Lifetime
50%
Saturation Power
50%
Speed Performance
50%
Superior Speed
50%
Recombination Centers
50%
DC Bias
50%
Photodiode Structures
50%
Bandwidth Degradation
50%
High-speed Photodetector
50%
Output Saturation
50%
Material Science
Capacitance
100%
Carrier Lifetime
100%
Epitaxial Film
100%
Photosensor
100%
Engineering
Photodiode
100%
Carrier Lifetime
25%
Bias Voltage
25%
Photodetector
25%
Responsivity
25%
Recombination Centre
25%
Epitaxial Film
25%