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Room-temperature operation type-II GaSb/GaAs quantum-dot infrared light-emitting diode
Chi Che Tseng
, Shih Yen Lin
, Wei Hsun Lin
, Shu Cheng Mai
, Shung Yi Wu
, Shu Han Chen
,
Jen Inn Chyi
電機工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
›
同行評審
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Room-temperature operation type-II GaSb/GaAs quantum-dot infrared light-emitting diode」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaAs Quantum Dot
100%
GaSb
100%
Room Temperature Operation
100%
Infrared Light Emitting Diode
100%
Operation Type
100%
Gallium Arsenide
33%
Blue Shift
33%
Forward Bias
33%
Room-temperature Photoluminescence
16%
Luminescence
16%
Type-II Band Alignment
16%
Electroluminescence
16%
Excitation Power Density
16%
Quantum Dot Light-emitting Diodes
16%
Dipole Transition
16%
GaAs Heterostructures
16%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Room Temperature
100%
Quantum Dot
100%
Light-Emitting Diode
100%
Infrared Light
100%
Blueshift
40%
Forward Bias
40%
Heterojunctions
20%
Power Density
20%
Luminaires
20%
Physics
Room Temperature
100%
Quantum Dot
100%
Light Emitting Diode
100%
Blue Shift
100%
Heterojunctions
50%
Photoluminescence
50%
Electroluminescence
50%
Material Science
Quantum Dot
100%
Light-Emitting Diode
100%
Gallium Arsenide
100%
Density
20%
Photoluminescence
20%
Heterojunction
20%
Luminescence
20%
Electroluminescence
20%