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Novel In
0.29
Al
0.71
As/In
0.3
Ga
0.7
As heterostructure field-effect transistors fabricated on GaAs substrates
Ming Ta Yang, Yi Jen Chan, Chia Song Wu,
Jen Inn Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Novel In
0.29
Al
0.71
As/In
0.3
Ga
0.7
As heterostructure field-effect transistors fabricated on GaAs substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaAs Substrate
100%
Heterostructure Field-effect Transistors
100%
Fmax
100%
Cut-off Frequency
50%
Equivalent Circuit Model
50%
Transconductance
50%
Maximum Gain
50%
Channel Current
50%
Current Gain Cutoff Frequency
50%
Microwave Characterization
50%
Microwave Amplifier Design
50%
HEMT Devices
50%
Microwave Testing
50%
Saturation Current Density
50%
DC Characterization
50%
Engineering
Heterojunctions
100%
Cutoff Frequency
100%
Gaas Substrate
100%
Field-Effect Transistor
100%
Current Gain
50%
Equivalent Circuit Model
50%
Future Application
50%
Saturation Current Density
50%
Microwave Amplifier
50%
Earth and Planetary Sciences
Heterojunctions
100%
Current Density
50%
Amplifier Design
50%
Microwave Amplifier
50%
Transconductance
50%
Equivalent Circuit
50%