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Nanoscale thick layer transfer of hydrogen-implanted wafer by using polycrystalline silicon sacrificial layer
T. H. Lee
, C. H. Huang, Y. Y. Yang, T. Suryasindhu, P. W. Li
機械工程學系
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Nanoscale thick layer transfer of hydrogen-implanted wafer by using polycrystalline silicon sacrificial layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Channeling Effect
33%
Implantation Depth
33%
Layer Method
33%
Layer Transfer
100%
Nanometre
33%
Polycrystalline Si
33%
Polysilicon
100%
Reimplantation
33%
Sacrificial Layer
100%
Si Layer
33%
Silicon-on-insulator
33%
Smart-cut
33%
Thick Layer
100%
Thick Silicon
33%
Thinning Process
33%
Transfer Layer
33%
Wafer
100%
Engineering
Channelling
50%
Implant
50%
Nanometre
50%
Nanoscale
100%
Polycrystalline
50%
Polysilicon
100%
Silicon on Insulator
50%
Thick Layer
100%
Thin Films
50%
Thinning Process
50%
Material Science
Silicon
100%
Thin Films
33%