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Material properties of compositional graded In
x
Ga
1-x
As and In
x
Al
1-x
As epilayers grown on GaAs substrates
J. I. Chyi
, J. L. Shieh, J. W. Pan, R. M. Lin
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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回顧評介論文
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同行評審
66
引文 斯高帕斯（Scopus）
總覽
指紋
指紋
深入研究「Material properties of compositional graded In
x
Ga
1-x
As and In
x
Al
1-x
As epilayers grown on GaAs substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaAs Substrate
100%
Epilayer
100%
Material Properties
100%
InxGa1-xAs
100%
Residual Strain
66%
InGaAs
66%
Crystallographic Tilt
66%
Material System
33%
Atomic Force Microscopy
33%
Layered Structure
33%
Buffer Layer
33%
InAlAs
33%
Growth Temperature
33%
Surface Topography
33%
Growth Front
33%
Graded Buffer Layer
33%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Epilayers
100%
Materials Property
100%
Buffer Layer
66%
Indium Gallium Arsenide
66%
Surface Topography
33%
Atomic Force Microscopy
33%
Engineering
Gaas Substrate
100%
Residual Strain
66%
Indium Gallium Arsenide
66%
Buffer Layer
66%
Material System
33%
Atomic Force Microscopy
33%
Growth Temperature
33%
Layer Structure
33%
Surface Topography
33%