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Lattice-matched In
0.29
Al
0.71
As/In
0.3
Ga
0.7
As doped-channel FETs
Ming Ta Yang, Yi Jen Chan, Jia Lin Shieh,
Jen Inn Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
雜誌貢獻
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會議論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Lattice-matched In
0.29
Al
0.71
As/In
0.3
Ga
0.7
As doped-channel FETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Lattice Matching
100%
Field-effect Transistors
50%
Temperature Effect
50%
GaAs Substrate
50%
Schottky Barrier Height
50%
Heterostructure
50%
Device Performance
50%
High Current Capability
50%
In Situ TEM
50%
Channel Approach
50%
Effect Analysis
50%
Dislocation-free
50%
Hall Effect
50%
Dislocation Filtering
50%
Lattice Dislocations
50%
Engineering
Filtration
100%
Gaas Substrate
100%
Heterostructures
100%
Schottky Barrier
100%
Barrier Height
100%
Device Performance
100%
Field Effect Transistor
100%
Field-Effect Transistor
100%
Physics
Photoelectric Emission
100%
Field Effect Transistor
100%
Schottky Barrier Height
100%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Schottky Barrier
50%
Gallium Arsenide
50%
Heterojunction
50%