Lateral schottky GaN rectifiers formed by Si+ ion implantation
- Y. Irokawa
- , Jihyun Kim
- , F. Ren
- , K. H. Baik
- , B. P. Gila
- , C. R. Abernathy
- , S. J. Pearton
- , C. C. Pan
- , G. T. Chen
- , J. I. Chyi
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
3
引文
斯高帕斯（Scopus）