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Integratable SiGe phototransistor with high speed (BW = 3 GHz) and extremely-high avalanche responsivity
Z. Pei
,
J. W. Shi
, Y. M. Hsu
, F. Yuan
, C. S. Liang
, C. W. Liu
, T. M. Pan
, S. C. Lu
, W. Y. Hsieh
, M. J. Tsai
電機工程學系
研究成果
:
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會議論文篇章
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Integratable SiGe phototransistor with high speed (BW = 3 GHz) and extremely-high avalanche responsivity」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
SiGe
100%
Responsivity
100%
Avalanche
100%
Integratable
100%
Phototransistor
100%
Multiple Quantum Wells
40%
Absorption Layer
40%
Detection Efficiency
20%
Optical Communications
20%
Proper Design
20%
Foundry
20%
Circuitry
20%
Non-ideality
20%
GHz Bandwidth
20%
Communications Applications
20%
High Responsivity
20%
Photoreceiver
20%
Base Current
20%
Gigabit
20%
Wavelength Detection
20%
Engineering
Responsivity
100%
Phototransistor
100%
Quantum Well
50%
Absorption Layer
50%
Proper Design
25%
Material Science
Quantum Well
100%