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In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As HEMT's on InP substrates
Chia Song Wu, Yi Jen Chan, Chu Dong Chen, Tien Huat Gan,
Jen Inn Chyi
電機工程學系
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As HEMT's on InP substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
High Electron Mobility Transistor
100%
Equivalent Circuit Model
100%
Layered Structure
100%
InP Substrate
100%
Gate Length
100%
Microwave Characteristics
100%
Amplifier Design
100%
S-parameters
100%
Fmax
100%
Maximum Oscillation Frequency
100%
Current Gain Cutoff Frequency
100%
Extrinsic Transconductance
100%
MBE Systems
100%
Engineering
Current Gain
100%
Cutoff Frequency
100%
Equivalent Circuit Model
100%
Amplifier
100%
Gate Length
100%
Layer Structure
100%
Scattering Parameters
100%
Earth and Planetary Sciences
High Electron Mobility Transistors
100%
Amplifier Design
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Transconductance
100%
Equivalent Circuit
100%
Material Science
Transistor
100%
Electronic Circuit
100%
Electron Mobility
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Amplifier
100%
Physics
High Electron Mobility Transistors
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Agricultural and Biological Sciences
Gates
100%