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Indium incorporation in InGaN/GaN quantum wells grown on m-plane GaN substrate and c-plane sapphire
K. Y. Lai
, T. Paskova
, V. D. Wheeler
,
T. Y. Chung
, J. A. Grenko
, M. A.L. Johnson
, K. Udwary
, E. A. Preble
, K. R. Evans
光電科學與工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Indium incorporation in InGaN/GaN quantum wells grown on m-plane GaN substrate and c-plane sapphire」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Blue Shift
20%
C-plane
100%
Cathodoluminescence
20%
Cathodoluminescence Spectra
20%
Cross-sectional Transmission Electron Microscopy
20%
Emission Spectrum
20%
GaN Substrate
100%
High Thermal Conductivity
20%
High-resolution X-ray Diffraction (HRXRD)
20%
Indium Composition
40%
Indium Diffusion
20%
Indium Gallium Nitride (InGaN)
100%
Indium Incorporation
100%
InGaN Quantum Wells
100%
LED Structure
20%
M-plane
100%
M-plane GaN
100%
Plane Surface
20%
Probe Current
20%
Quantum Well
100%
Sapphire
100%
Sapphire Substrate
20%
Surface Orientation
20%
Transmission Electron Microscopy Images
20%
Well Width
40%
Material Science
Cathodoluminescence
28%
High Resolution X-Ray Diffraction
14%
Indium
100%
Light-Emitting Diode
14%
Quantum Well
100%
Sapphire
100%
Surface (Surface Science)
28%
Thermal Conductivity
14%
Transmission Electron Microscopy
14%
Engineering
Blueshift
14%
Current Probe
14%
Emission Wavelength
14%
High Resolution
14%
High Thermal Conductivity
14%
Plane Surface
14%
Quantum Well
100%
Ray Diffraction
14%
Sapphire Substrate
14%