Indium incorporation in InGaN/GaN quantum wells grown on m-plane GaN substrate and c-plane sapphire

K. Y. Lai, T. Paskova, V. D. Wheeler, T. Y. Chung, J. A. Grenko, M. A.L. Johnson, K. Udwary, E. A. Preble, K. R. Evans

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

14 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Indium incorporation in InGaN/GaN quantum wells grown on m-plane GaN substrate and c-plane sapphire」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Material Science

Engineering