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Increasing more bonding energy in nitrogen plasma-activated wafer bonding by HF-Dip
F. S. Lo, C. C. Chiang, C. Li,
T. H. Lee
機械工程學系
研究成果
:
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同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Increasing more bonding energy in nitrogen plasma-activated wafer bonding by HF-Dip」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Wafer Bonding
100%
Hydrofluoric Acid
100%
Plasma-activated
100%
Bond Energy
100%
Nitrogen Plasma
100%
Annealing
50%
Silicon Nitride
50%
Fracture Strength
50%
High Strength
50%
Silicon Fracture
50%
Annealing Temperature
25%
Si Wafer
25%
Interface Energy
25%
Bonding Mechanism
25%
Dip Treatment
25%
Room-temperature Bonding
25%
Plasma Activation
25%
Engineering
Wafer Bonding
100%
Fracture Strength
50%
Room Temperature
25%
Si Wafer
25%
Annealing Temperature
25%
Bonding Mechanism
25%
Plasma Activation
25%