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InAs/GaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layer grown by solid-source molecular beam epitaxy
N. T. Yeh, W. S. Liu, S. H. Chen, P. J. Chiu,
J. I. Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
會議貢獻類型
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會議論文
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「InAs/GaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layer grown by solid-source molecular beam epitaxy」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Quantum Dot Lasers
100%
GaAs Quantum Dot
100%
InGaP
100%
Solid Source Molecular Beam Epitaxy
100%
Cladding Layer
100%
Room Temperature
50%
Internal Loss
50%
Internal Quantum Efficiency
50%
Characteristic Temperature
50%
Low Temperature
50%
Al-free
50%
Threshold Current Density
50%
Lasing Properties
50%
Low Threshold Current Density
50%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Quantum Dot
100%
Cladding Layer
100%
Threshold Current Density
100%
Room Temperature
50%
Internal Loss
50%
Internal Quantum Efficiency
50%
Low-Temperature
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Physics
Quantum Dot
100%
Cladding
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Room Temperature
50%
Temperature Characteristics
50%
Lasing
50%
Material Science
Density
100%
Quantum Dot
100%
Gallium Arsenide
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%