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Improving the off-state characteristics and dynamic on-resistance of AlInN/AlN/GaN HEMTs with a GaN cap layer
Geng Yen Lee
, Po Tsung Tu
,
Jen Inn Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
15
引文 斯高帕斯（Scopus）
總覽
指紋
指紋
深入研究「Improving the off-state characteristics and dynamic on-resistance of AlInN/AlN/GaN HEMTs with a GaN cap layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaN HEMT
100%
On-resistance
100%
AlInN
100%
GaN Cap Layer
100%
Off-state
100%
High Electron Mobility Transistor
66%
Electrical Characteristics
66%
Conduction Band
33%
Electric Field (E-field)
33%
Capping Layer
33%
Layer Thickness
33%
2-dimensional Electron Gas (2DEG)
33%
Barrier Layer
33%
On-state Resistance
33%
Breakdown Voltage VB
33%
Dynamic RON
33%
Power Switching Applications
33%
Material Science
Aluminum Nitride
100%
Transistor
100%
Electron Mobility
100%
Surface (Surface Science)
33%
Engineering
Cap Layer
100%
State Characteristic
100%
Two Dimensional
25%
Layer Thickness
25%
Breakdown Voltage
25%
Barrier Layer
25%
Conduction Band
25%
Earth and Planetary Sciences
High Electron Mobility Transistors
100%
Barrier Layer
33%
Electron Gas
33%
Conduction Band
33%