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High-thermal-stability and low-resistance p-GaN contact for thin-GaN light emitting diodes structure
C. L. Lin, S. J. Wang,
C. Y. Liu
化學工程與材料工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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同行評審
11
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「High-thermal-stability and low-resistance p-GaN contact for thin-GaN light emitting diodes structure」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Thermal Stability
100%
X-ray Photoelectron Spectroscopy
100%
GaN-based Light-emitting Diodes
100%
Epilayer
100%
Diode Structures
100%
P-GaN
100%
Low Resistance
100%
High Thermal Stability
100%
Thermal Low
100%
Ni Barrier
100%
GaN-based LED
50%
Specific Contact Resistance
50%
NiAl
50%
Au-Ni
50%
Au Layer
50%
Al Atom
50%
Optical Characteristics
50%
Electrical Characteristics
50%
Al Contacts
50%
Al Diffusion
50%
Engineering
Light-Emitting Diode
100%
Ray Photoelectron Spectroscopy
100%
Barrier Layer
100%
Material Science
Thermal Stability
100%
Light-Emitting Diode
100%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy
66%
Contact Resistance
33%