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High-quality AlN grown with a single substrate temperature below 1200 °c
Chun Pin Huang, Chao Hung Wang, Chuan Pu Liu,
Kun Yu Lai
光電科學與工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
20
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「High-quality AlN grown with a single substrate temperature below 1200 °c」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Substrate Temperature
100%
Single Substrate
100%
Three-dimensional (3D)
50%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
50%
Adatoms
50%
Epitaxial Structure
50%
Flow Condition
50%
Nanoislands
50%
Lateral Migration
50%
Lattice Strain
50%
Peak Width
50%
Growth Techniques
50%
Atomically Flat Surface
50%
Buffer Structure
50%
AlN Layer
50%
Engineering
Substrate Temperature
100%
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
50%
Simplifies
50%
Flow Condition
50%
Flat Surface
50%
Material Science
Aluminum Nitride
100%
Surface (Surface Science)
66%
X-Ray Diffraction
33%
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
33%