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影響
High peak-to-valley current ratio In
0.3
Ga
0.7
As/In
0.29
Al
0.7
, As resonant tunneling diodes grown on GaAs
H. P. Hwang
, J. L. Shieh
, R. M. Lin
,
J. I. Chyi
, S. L. Tu
, C. K. Peng
, S. J. Yang
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
會議貢獻類型
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會議論文
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「High peak-to-valley current ratio In
0.3
Ga
0.7
As/In
0.29
Al
0.7
, As resonant tunneling diodes grown on GaAs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gallium Arsenide
100%
Highest Peak
100%
Peak-to-valley Current Ratio
100%
Resonant Tunneling Diode
100%
Current-voltage Characteristics
50%
Room Temperature
50%
GaAs Substrate
50%
Epilayer
50%
Double Barrier
50%
Well Width
50%
Negative Differential Resistance
50%
Large Lattice Mismatch
50%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Epilayers
33%
Lattice Mismatch
33%
Current Voltage Characteristics
33%