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Growth and characterization of gallium arsenide on sapphire by molecular beam epitaxy
D. Biswas,
J. I. Chyi
, H. Morkoç, S. DiVita, G. Kordas
電機工程學系
研究成果
:
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Growth and characterization of gallium arsenide on sapphire by molecular beam epitaxy」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Mathematics
Sapphire
100%
Molecular Beam Epitaxy
93%
Gallium Arsenide
87%
Substrate
30%
Characterization
27%
Surface Morphology
25%
Photoluminescence
25%
Linewidth
22%
Silicon
18%
Thin Films
16%
Conductivity
14%
Energy
8%
Engineering & Materials Science
Molecular beam epitaxy
81%
Gallium arsenide
74%
Sapphire
70%
Characterization (materials science)
46%
Photoluminescence
28%
Substrates
24%
Linewidth
22%
Temperature
21%
Surface morphology
19%
Thin films
16%
Silicon
13%
Physics & Astronomy
gallium arsenides
58%
molecular beam epitaxy
44%
sapphire
44%
characterization
29%
photoluminescence
12%
conductivity
11%
temperature
10%
silicon
9%
thin films
9%
energy
5%
Chemical Compounds
Molecular Beam Epitaxy
75%
Liquid Film
25%
Photoluminescence
20%
Conductivity
17%
Energy
12%
Surface
8%