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Grid effects on the derived ion temperature and RAM velocity from the simulated results of the retarding potential analyzer data
C. K. Chao
, S. Y. Su, H. C. Yeh
太空科學與工程學系
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
19
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「Grid effects on the derived ion temperature and RAM velocity from the simulated results of the retarding potential analyzer data」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Low Energy Particles
100%
Retarding Potential Analyzer
100%
Ion Temperature
100%
Grid Effect
100%
Three Dimensional Model
50%
Low Latitude
50%
ROCSAT-1
50%
Mid-latitude
50%
Plasma Flow
50%
Mesh Size
50%
Flow Velocity
50%
Particle Motion
50%
Topside Ionosphere
50%
Potential Field
50%
Potential Barrier
50%
Ion Loss
50%
Small Aperture
50%
Sensor Configuration
50%
Ram Speed
50%
Wire Size
50%
Ion Composition
50%
I-V Curve
50%
Engineering
Current-Voltage Characteristic
100%
Simulation Result
100%
Reliability Availability and Maintainability (Reliability Engineering)
100%
Simulated Result
100%
Three-Dimensional Models
100%
Mesh Size
100%
Flow Velocity
100%