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Formation of epitaxial β-FeSi
2
nanodots array on strained Si/Si
0.8
Ge
0.2
(001) substrate
H. C. Chen, K. F. Liao,
S. W. Lee
,
S. L. Cheng
, L. J. Chen
材料科學與工程研究所
化學工程與材料工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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會議論文
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同行評審
9
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Formation of epitaxial β-FeSi
2
nanodots array on strained Si/Si
0.8
Ge
0.2
(001) substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
(001) Substrate
100%
Compositionally Graded
16%
Dislocation Slip
16%
Epitaxial
100%
FeSi2
100%
Lattice Mismatch
16%
Lattice Parameter
16%
Local Surface
16%
Local Thickness
16%
Nanodot Array
100%
Nanodots
33%
Nanostructures
16%
Plane Lattices
16%
Si Substrate
16%
Si1-xGex
16%
Solid Phase Epitaxy
16%
Strained Si
100%
Surface Features
16%
Surface Strain
16%
Thickness Variation
16%
Material Science
Lattice Constant
33%
Lattice Mismatch
33%
Nanodots
100%
Nanostructure
33%
Solid Phase Epitaxy
33%
Surface (Surface Science)
100%
Engineering
Lattice Constant
33%
Lattice Parameter
33%
Local Thickness
33%
Nanodots
100%
Nanomaterial
33%
Plane Lattice Mismatch
33%
Si Substrate
33%
Surface Feature
33%
Physics
Epitaxy
33%
Lattice Mismatch
33%
Lattice Parameter
33%
Nanomaterial
33%
Quantum Dot
100%