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Fin-TFET: Design of FinFET-based Tunneling FET with Face-tunneling Mechanism
Mu Ying Lee
, C. H. Chiu
, E. R. Hsieh
, G. L. Luo
, J. C. Guo
, Steve S. Chung
電機工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
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會議論文篇章
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Fin-TFET: Design of FinFET-based Tunneling FET with Face-tunneling Mechanism」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Fin Field-effect Transistor (FinFET)
100%
Tunnel FET
100%
Tunneling Mechanism
100%
Low Voltage
50%
Proper Use
50%
SiGe
50%
Parasitic Capacitance
50%
Tunneling Current
50%
Leakage Current
50%
Small Bandgap
50%
On-state
50%
Device Structure
50%
Drive Current
50%
Novel Hybrids
50%
Tunneling
50%
Off-state Leakage Current
50%
Subthreshold Slope
50%
Ioff
50%
SiGe Channel
50%
Read Disturb
50%
6T-SRAM
50%
Area Use
50%
Engineering
Tunnel Construction
100%
Field Effect Transistor
100%
Parasitic Capacitance
16%
Device Structure
16%
Subthreshold Slope
16%
Current Drive
16%
Read Disturb
16%
Channel Region
16%
Band Gap
16%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Capacitance
50%