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Fabrication of single crystalline SiC layer on high temperature glass
Q. Y. Tong,
T. H. Lee
, P. Werner, U. Gösele, R. B. Bergmann, J. H. Werner
機械工程學系
研究成果
:
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同行評審
20
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Fabrication of single crystalline SiC layer on high temperature glass」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
High Temperature
100%
Single-crystalline
100%
Anodic Bonding
100%
SiC Layer
100%
Activation Energy
50%
Layer Transfer
50%
Process Window
50%
Microcracks
50%
Transfer Approach
50%
Layer Splitting
50%
Surface Blistering
50%
Direct Bonding
50%
SiC Wafer
50%
Formation Energy
50%
6H-SiC
50%
Material Science
Surface (Surface Science)
100%
Activation Energy
50%