原文 | ???core.languages.en_GB??? |
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文章編號 | 069902 |
期刊 | Applied Physics Letters |
卷 | 104 |
發行號 | 6 |
DOIs |
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出版狀態 | 已出版 - 2 10月 2014 |
Erratum: The behavior of off-state stress-induced electrons trapped at the buffer layer in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors (Applied Physics Letters(2014) 104 (033503))
W. C. Liao, Y. L. Chen, C. H. Chen, J. I. Chyi, Y. M. Hsin
研究成果: 雜誌貢獻 › 評論/辯論
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引文
斯高帕斯(Scopus)