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Enlargement of bulk non-polar GaN substrates by HVPE regrowth
K. Y. Lai
, V. D. Wheeler
, J. A. Grenko
, M. A.L. Johnson
, A. D. Hanser
, E. A. Preble
, L. Liu
, T. Paskova
, K. R. Evans
光電科學與工程學系
研究成果
:
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會議論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Enlargement of bulk non-polar GaN substrates by HVPE regrowth」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaN Substrate
100%
Enlargement
100%
Regrowth
100%
Hydride Vapor Phase Epitaxy
100%
Nonpolar GaN
100%
Dislocation Density
25%
C-axis
25%
Cross-sectional Area
25%
Threading Dislocation Density
25%
A-plane
25%
Low Defect Density
25%
Lateral Size
25%
Wafering
25%
Bulk GaN Substrates
25%
Lateral Expansion
25%
Heteroepitaxial Growth
25%
Cathodoluminescence
25%
Structural Quality
25%
M-plane
25%
Boule
25%
Engineering
Dislocation Density
100%
Cross Section
50%
Defect Density
50%
Section Area
50%
Threading Dislocation
50%
Plane Surface
50%
Material Science
Vapor Phase Epitaxy
100%
Hydride
100%
Density
66%
Defect Density
33%
Cathodoluminescence
33%
Physics
Regrowth
100%
Vapor Phase Epitaxy
100%
Boule
33%
Cathodoluminescence
33%