跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立中央大學 首頁
說明與常見問題
English
中文
首頁
人才檔案
研究單位
研究計畫
研究成果
資料集
榮譽/獲獎
學術活動
新聞/媒體
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Enhancing capacitance of dielectric Si-oxide film by inserting indium-tin-oxide interlayer
Tzu Hsuan Yen, Chia Yueh Chou, Bao Jhen Li,
Cheng Yi Liu
化學工程與材料工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
雜誌貢獻
›
期刊論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Enhancing capacitance of dielectric Si-oxide film by inserting indium-tin-oxide interlayer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Si Oxide
100%
Oxide Film
100%
Dielectric
100%
Indium Tin Oxide
100%
Capacitance
100%
Oxide Interlayer
100%
Cu-Si
28%
Tetrahedron
14%
Dipole
14%
Crystalline Phase
14%
Non-stoichiometric
14%
MIM Structure
14%
Phase Formation
14%
Applied Electric Field
14%
TEM Images
14%
Parallel Plate Capacitor
14%
Edge Effect
14%
Seed Layer
14%
Two Parallel Plates
14%
ITO Interlayer
14%
Material Science
Capacitance
100%
Oxide Film
100%
Indium Tin Oxide
100%
Dielectric Material
100%
Oxide Compound
42%
Capacitor
14%
Chemical Engineering
Tin Oxide
100%
Indium
100%
Film
100%