跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立中央大學 首頁
說明與常見問題
English
中文
首頁
人才檔案
研究單位
研究計畫
研究成果
資料集
榮譽/獲獎
學術活動
新聞/媒體
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Electromigration failures at Cu/Sn joint interface
C. Y. Liu
化學工程與材料工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Electromigration failures at Cu/Sn joint interface」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Cu-Sn
100%
Electromigration
100%
Joint Interface
100%
Anode Interface
66%
Current Density
33%
Failure Mode
33%
Flip chip
33%
Cu Pad
33%
High Current Density
33%
Induced Failures
33%
Current Stressing
33%
Cathode Interface
33%
Reliability Issues
33%
Cu3Sn
33%
Maximum Current Density
33%
Kirkendall Voids
33%
Minimum Current
33%
Engineering
Electromigration
100%
Joint Interface
100%
High Current Density
33%
Failure Mode
33%
Reliability Issue
33%
Induced Failure
33%
Corner Joint
33%
Material Science
Density
100%
Anode
50%
Cathode
25%