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Effects of point defect distribution on arsenic precipitation in low-temperature grown III-V arsenides
M. N. Chang, K. C. Hsieh, T. E. Nee,
J. I. Chyi
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
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同行評審
8
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Effects of point defect distribution on arsenic precipitation in low-temperature grown III-V arsenides」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Low Temperature
100%
III-V
100%
Defect Distribution
100%
Arsenides
100%
Arsenic Precipitation
100%
Semiconductors
33%
Annealing Temperature
33%
Doping Level
33%
Semiconductor Structures
33%
Temperature Level
33%
Point Defect Concentration
33%
Bright-field Image
33%