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Effects of N
+
1 implantation on CoSi
2
contacts on shallow junctions
K. M. Chen,
S. L. Cheng
, L. J. Chen, B. Y. Tsui
化學工程與材料工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Effects of N
+
1 implantation on CoSi
2
contacts on shallow junctions」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
CoSi2
100%
Shallow Junction
100%
Thermal Stability
50%
Nitrogen Ion Implantation
33%
Annealing
16%
Surface Morphology
16%
Grain Boundary
16%
Suicide
16%
Nitrogen Effect
16%
Resistivity
16%
Sheet Resistance
16%
Grain Growth
16%
Growth Stability
16%
CoS2
16%
Pinhole-free
16%
Residual Defect
16%
Engineering
Shallow Junction
100%
Implanted Sample
100%
Ion Implantation
66%
Thin Films
33%
Surface Morphology
33%
Polycrystalline
33%
Sheet Resistance
33%
Grain Boundaries
33%
Material Science
Thermal Stability
100%
Ion Implantation
66%
Thin Films
33%
Annealing
33%
Surface Morphology
33%
Electrical Resistivity
33%
Grain Boundaries
33%
Chemical Engineering
Sheet Resistance
100%
Film
100%