Device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN cap layer

Chih Hao Li, Yan Cheng Jiang, Hsin Chang Tsai, Yi Nan Zhong, Yue ming Hsin

電機工程學系

研究成果: 雜誌貢獻 › 編者言

5 引文斯高帕斯（Scopus）

2 已完成

2結果

已完成
P型氮化鎵表面鈍化層在AlGaN/GaN HEMT的高頻功率與高速切換電路應用研究(1/2)
Hsin, Y.
1/08/16 → 31/07/17
研究計畫: Research
同具二維電子氣(2DEG)和二維電洞氣( 2DHG)之氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體
Hsin, Y.
1/08/15 → 31/07/16
研究計畫: Research