跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立中央大學 首頁
說明與常見問題
English
中文
首頁
人才檔案
研究單位
研究計畫
研究成果
資料集
榮譽/獲獎
學術活動
新聞/媒體
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Damage of silicon induced by low-energy Ar magnetron discharges
F. Y. Chen,
I. Lin
, C. H. Lin
物理學系
研究成果
:
雜誌貢獻
›
期刊論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Damage of silicon induced by low-energy Ar magnetron discharges」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Argon
47%
Capacitance
36%
Electric potential
21%
Glow discharges
62%
Ions
78%
Silicon
100%
Substrates
89%
Physics & Astronomy
argon
24%
capacitance
25%
damage
90%
direct current
24%
electric potential
17%
energy
37%
glow discharges
31%
ions
29%
low frequencies
22%
silicon
68%
traps
23%
Chemical Compounds
Energy
60%
Glow Discharge
75%
Ion
50%
Surface
20%
Trap Density Measurement
96%