Characteristics of fully quaternary In0.52(Al0.8Ga0.2)0.48As/In 0.53(Al0.2Ga0.8)0.47As heterostructures in doped-channel FETs
L. S. Lai, Y. J. Chan, J. W. Pan, J. I. Chyi
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
4
引文
斯高帕斯（Scopus）