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Barrier property of a Ta/MnSi
x
O
y
Layer formed by a ta-mn alloy for a cu interconnect
Cheng Lun Hsin
, Kun Yen Lin
電機工程學系
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「Barrier property of a Ta/MnSi
x
O
y
Layer formed by a ta-mn alloy for a cu interconnect」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Annealing
33%
Barrier Layer
33%
Barrier Materials
33%
Barrier Properties
100%
Bilayer Structure
33%
Black's Equation
33%
Confidence Interval
33%
Cu Interconnect
100%
Current Density
33%
Diffusion Barrier Layer
66%
Electrical Properties
33%
Electromigration
33%
End Module
33%
Failure Mechanism
33%
Failure Mode
33%
Mean Time to Failure
66%
Microscopy
33%
Mn Alloys
100%
MnSi
33%
Oxides
33%
Reliability Characteristics
33%
Self-forming
33%
Single Failure
33%
Ultrathin
33%
Very Large Scale Integrated Circuits
66%
Engineering
Barrier Layer
100%
Barrier Material
33%
Barrier Property
100%
Confidence Interval
33%
Diffusion Barrier
66%
Electromigration
33%
Failure Mechanism
33%
Failure Mode
33%
Interconnects
100%
Large Scale Integrated Circuit
66%
Mean Time to Failure
66%
Single Failure
33%
Material Science
Annealing
50%
Density
50%
Electronic Circuit
100%
Oxide Compound
50%
Chemical Engineering
Diffusion Barrier
100%