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Band lineup in GaAs1-xSbx/GaAs strained-layer multiple quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
G. Ji, S. Agarwala, D. Huang,
J. Chyi
, H. Morkoç
前瞻科技研究中心
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
69
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Band lineup in GaAs1-xSbx/GaAs strained-layer multiple quantum wells grown by molecular-beam epitaxy」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
AlxGa1-xN
100%
Band Gap
16%
Band Lineup
100%
Band Offset
33%
Gallium Arsenide
100%
Heavy Hole
33%
Layer's System
16%
Light Hole
16%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Multiple Quantum Wells
100%
Photoreflectance
33%
Quality Layers
16%
Room Temperature
16%
Strained Layers
100%
Engineering
Band Gap
25%
Band Offset
50%
Gaas Layer
25%
Gallium Arsenide
100%
Photoreflectance
50%
Quantum Well
100%
Room Temperature
25%
Strained Layer
100%
Physics
Molecular Beam Epitaxy
100%
Multiple Quantum Well
100%
Room Temperature
50%