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An InP/InGaAs/InP DHBT with high power density at Ka-band
Che ming Wang, Shou Chien Huang, Wei Kuo Huang,
Yue ming Hsin
光電科學研究中心
電機工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「An InP/InGaAs/InP DHBT with high power density at Ka-band」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
InGaAs
100%
Ka-band
100%
InP HBT
100%
High Power Density
100%
Breakdown Voltage
50%
Power Performance
25%
Cut-off Frequency
25%
Current Density
25%
Sub-micrometer
25%
Band Power
25%
InAlGaAs
25%
DC Current Gain
25%
BVCEO
25%
InP Heterojunction Bipolar Transistors
25%
Current Blocking
25%
Highly Doped
25%
Linearly Graded
25%
Maximum Output Power Density
25%
Engineering
Power Density
100%
Indium Gallium Arsenide
100%
Ka-Band
100%
Breakdown Voltage
50%
Heterojunctions
25%
Current Gain
25%
Bipolar Transistor
25%
Cutoff Frequency
25%
Maximum Output Power
25%
Collector Junction
25%