AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a p-GaN backgate structure
W. T. Lin, W. C. Lin, Y. N. Zhong, Y. M. Hsin
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）