AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a p-GaN backgate structure

W. T. Lin, W. C. Lin, Y. N. Zhong, Y. M. Hsin

研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章 › 同行評審

3 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a p-GaN backgate structure」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Engineering

Earth and Planetary Sciences