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A V-band Nonlinear Effect Cancellation Enhance the Linearity of GCPW LNA using 0.13-μm CMOS
Po Ning Chen, Hsin Chieh Lin,
Hwann Kaeo Chiou
電機工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
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會議論文篇章
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同行評審
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指紋
指紋
深入研究「A V-band Nonlinear Effect Cancellation Enhance the Linearity of GCPW LNA using 0.13-μm CMOS」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
V-band
100%
Nonlinear Effects
100%
Low Noise Amplifier
100%
Grounded Coplanar Waveguide
100%
Transistor
50%
High Linearity
50%
Gate Width
50%
Low Power Consumption
25%
Third Order
25%
Noise Figure
25%
Current Density
25%
Transconductance
25%
Amplifier Design
25%
Superior Performance
25%
Cancellation Mechanism
25%
Common Source
25%
Transistor Performance
25%
Noise Measurement
25%
Finger Length
25%
Low Noise Figure
25%
Coplanar Waveguide Technology
25%
Width Ratio
25%
Engineering
Waveguide
100%
V-Band
100%
Nonlinear Effect
100%
Low Noise Amplifier
100%
Noise Figure
50%
Gate Width
50%
Low Power Consumption
25%
Amplifier
25%