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A novel silicide and germanosilicide by NiCo alloy for Si and SiGe source/drain contact with improved thermal stability
Chi Hsuan Cheng,
Cheng Lun Hsin
電機工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
12
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「A novel silicide and germanosilicide by NiCo alloy for Si and SiGe source/drain contact with improved thermal stability」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Silicide
100%
Ni-Co Alloy
100%
Improved Thermal Stability
100%
Si Source
100%
Germanosilicide
100%
SiGe Source
100%
Ni-Co
80%
Thermal Stability
40%
Low Sheet Resistance
40%
High Temperature
20%
Low Temperature
20%
Si1-xGex
20%
Resistivity
20%
Complementary Metal Oxide Semiconductor
20%
Ge Concentration
20%
Metal Silicide
20%
Sheet Resistance
20%
NiSi
20%
Contact Layer
20%
Structure Evolution
20%
NiPt
20%
CoSi
20%
Co-alloying
20%
Thermal Uniformity
20%
NiPt Silicide
20%
Material Science
Thermal Stability
100%
Silicide
100%
Electrical Resistivity
16%
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Device
16%
Cobalt Alloy
16%
Earth and Planetary Sciences
Thermal Stability
100%
Silicide
100%
Metal Oxide Semiconductor
16%
Cobalt Alloy
16%
Chemical Engineering
Silicide
100%
Sheet Resistance
50%
Oxide Semiconductors
16%