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A low impact ionization rate poly-Si TFT with a current and electric field split design
Feng Tso Chien
, Kuang Po Hsueh
, Zhen Jie Hong
, Kuan Ting Lin
, Yao Tsung Tsai
, Hsien Chin Chiu
電機工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A low impact ionization rate poly-Si TFT with a current and electric field split design」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Current Field
100%
Current Path
40%
Device Simulator
20%
Electric Field (E-field)
100%
Electron Current
20%
Evade
20%
Field Area
20%
Field Plate
20%
Field Plate Design
20%
High Electric Field
20%
Impact Ionization Coefficients
100%
Kink Effect
20%
Leakage Current
20%
Low Impact
100%
Magnitude Distribution
20%
On-off Ratio
20%
Polycrystalline Silicon Thin-film Transistors (poly-Si TFTs)
100%
Raised Source Drain
40%
Split Design
100%
Split Structure
20%
Thin-film Transistors
20%
Two Dimensional Devices
20%
Engineering
Current Ratio
20%
Electric Field
100%
High Electric Field
20%
Impact Ionization
100%
Ionization Rate
100%
Polysilicon
100%
Thin-Film Transistor
100%
Two Dimensional
20%