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A Ka-band 25-dBm output power high efficiency monolithic Doherty power amplifier in 0.15-μm GaAs E-mode pHEMT process
Yu An Lin
, Jien Rong Ji
, Tzu Han Chien
,
Hong Yeh Chang
, Yu Chi Wang
電機工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
›
同行評審
13
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A Ka-band 25-dBm output power high efficiency monolithic Doherty power amplifier in 0.15-μm GaAs E-mode pHEMT process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Enhancement-mode (E-mode)
100%
High Efficiency
100%
InP HEMT
100%
Gallium Arsenide
100%
Power Output
100%
Ka-band
100%
Doherty Power Amplifier
100%
Chip Size
25%
Power Added Efficiency
25%
Communication Systems
25%
High Power
25%
Chip Area
25%
Return Loss
25%
Inductance
25%
Peak Power
25%
Signal Output
25%
Capacitance
25%
Small-signal Gain
25%
Doherty
25%
Saturation Power
25%
Lumped Elements
25%
Quarter-wave Transmission Line
25%
Output Saturation
25%
Back-off Efficiency
25%
Offset Line
25%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Output Power
100%
Ka-Band
100%
Doherty Power Amplifier
100%
Power Added Efficiency
25%
Communication System
25%
Chip Area
25%
Electric Lines
25%
Return Loss
25%
Peak Power
25%
Signal Output
25%
Signal Gain
25%