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A K-band high efficiency high output power CG-CS frequency doubler in 0.5-m GaAs E/D-mode PHEMT process
Shou Hsien Weng, Guan Yu Chen,
Hong Yeh Chang
,
Yue Ming Hsin
電機工程學系
光電科學研究中心
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A K-band high efficiency high output power CG-CS frequency doubler in 0.5-m GaAs E/D-mode PHEMT process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
K-band
100%
High Efficiency
100%
InP HEMT
100%
Gallium Arsenide
100%
High Output Power
100%
Common Source
100%
Frequency Doubler
100%
Doubler
100%
Common Gate
100%
D-mode
100%
Source Frequency
100%
Field-effect Transistors
66%
Conversion Gain
66%
Enhancement-mode (E-mode)
33%
Depletion Mode
33%
Chip Size
33%
Power Added Efficiency
33%
1-dB Compression Point
33%
Second Harmonic
33%
Buffer Amplifier
33%
Input Power
33%
Fully Integrated
33%
Power Frequency
33%
Maximum Output
33%
Saturation Output Power
33%
Source Fields
33%
Gate Field Effect
33%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Output Power
100%
K-Band
100%
Frequency Source
100%
Conversion Gain
50%
Field-Effect Transistor
50%
Harmonics
25%
Power Added Efficiency
25%
Db Compression Point
25%
Buffer Amplifier
25%
Input Power
25%