凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用(1/3)

專案詳細資料

Description

隨著5G通訊系統、再生能源系統、雲端機房、電動車/自駕車、人工智慧、機器人與物聯網的普及,氮化鎵(GaN)電子元件的市場規模預期可逐年快速成長。然而目前GaN元件大多製作於SiC,GaN-on-Si與GaN基板上,各自受限於磊晶厚度、品質、基板價格、尺寸等因素,造成元件規格與成本的瓶頸。本計畫擬以有機金屬化學蒸氣沉積法進行凡德瓦磊晶,成長GaN於有石墨烯或氮化硼二維材料覆蓋之多晶AlN基板、(111)與(100)矽基板,以突破前述基板所引起的瓶頸,在GaN材料領域開創新局。將使用的多晶AlN基板具有高絕緣性、高導熱性,國內可以量產,尺寸可達200 mm以上之優點,更可大幅降低因熱膨脹係數差異所引起的磊晶應力,可以容許GaN磊晶厚度大幅增加,而不會有磊晶龜裂或晶圓翹區的問題。毫米波電晶體性能也會因為用此高絕緣、高導熱之基板而明顯提升。選用(111)與(100)晶面矽基板,除可突破傳統GaN-on-Si的磊晶厚度限制,也希望將目前矽晶圓廠主流的(100)基板整合入GaN-on-Si製程,不僅可降低成本,亦可為GaN未來應用在邏輯與混和信號晶片奠定基礎。
狀態已完成
有效的開始/結束日期1/08/1931/07/20

聯合國永續發展目標

聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG),以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此專案有助於以下永續發展目標:

  • SDG 2 - 消除飢餓
  • SDG 7 - 經濟實惠的清潔能源
  • SDG 17 - 為永續目標構建夥伴關係

Keywords

  • 氮化鎵
  • 有機金屬化學蒸氣沉積
  • 凡德瓦磊晶
  • 石墨烯
  • 氮化硼
  • 多晶AlN

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。