新穎有機磁性穿隧接面中自旋傳輸特性之研究

近年來自旋電子學已經成功利用在非揮發性磁性記憶體和磁性感測器方面的，同時也已經擴展到 有機材料的領域，主要原因是其微弱的自旋軌道耦合能有效保持自旋狀態長達幾百奈米.目前已經吸 引許多有機自旋元件的研究，包含在有機磁性穿隧接面之穿隧磁阻效應（TMR)，以及在多鐵穿隧接面之 穿隧電阻效應（TER)的研究.然而，利用自旋轉移力矩（STT)之電流驅動導致磁矩反轉之效應卻鮮少被 討論，其主要的原因是因為缺乏可靠的模擬工具.因此，在本計晝中我們希望能整合第一原理計算方法， 緊束缚模型，再加上非平衡格林函數的方法，針對兩種有機磁性穿隧接面來探討其自旋傳輸特性以及 自旋轉移力矩效應.我們首先選擇具有氨基/氧頭基之導電/共軛分子為屏蔽層，希望能達到良好的自 旋極化注入，同時，我們也選擇有機鐵電高分子作為屏蔽層，希望能達到多電阻效應.我們相信透過第 一原理方法和緊束缚模型之整合所提出的理論預測，對於未來新穎有機自旋電子原件的開發和應用可 以提供許多重要的資訊.