以新穎全像材料PQ:DMNA/PMMA同時達成多雷射同調光束合併與光束整形(1/3)

半導體雷射目前為最廉價之雷射，有著輸出功高、大增益頻寬等優秀特性，然而其輸出之空間與光譜特性極差，因此難以取代其他傳統雷射；進行半導體雷射輸出特性改善所需之架設複雜昂貴且效率不佳；另外而由於半導體材料之限制，單一半導體雷射輸出功率亦無法輕易增加。本計劃提出以新穎全像儲存材料PQ:DMNA/PMMA 作為光學元件，以極簡化之架構同時達成雷射輸出光譜窄化、光束整形與同調光束合併。此計畫將分三年完成，第一年目標為發展穩定之材料製備流程與配方、材料各種光學特性之量測，並開發長同調長度高功率半導體雷射光源；第二年為研究紀錄此材料之參數與優化條件、研究雷射相位鎖定條件與架構，並建構大功率同調光源以利全像光學元件製作；第三年完成單一半導體雷射輸出光譜窄化及光束整形、多半導體雷射同調光束合併、輸出光譜窄化、光束整形。